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2017-07-25
+2018-07-11
+2018-02-23
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JK-LYJ-200型全自动流延机是将混合浆料从料槽流至基带之上,通过基带(PET)与逗号刮刀的相对运动形成坯膜,坯膜的厚度由刮刀控制(调刀精度可达0.001mm)。将坯膜连同基带一起送入烘干室,溶剂蒸发,有机结合剂在陶瓷颗粒间形成网络结构,形成具有一定强度和柔韧性的坯片,干燥的坯片连同基带一起卷轴待用。具有高精度,高速、性能稳定、环保、节能等特点。
SPS-5T-2000是一款温度可达2000℃、压力最高5T的智能放电等离子体热压烧结系统(Spark Plasma Sintering),其原理是利用通-断直流脉冲电流直接通电烧结的加压烧结法。通断式直流脉冲电流的主要作用是产生放电等离子体、放电冲击压力、焦耳热和电场扩散作用,它具有加热均匀,升降温速度快、烧结时间短、组织结构可控、产品组织细小均匀、可以得到高致密度的材料、节能环保等鲜明特点
JK-VRP300是一款高温真空热压机,针对于晶片的焊接或薄膜转移,其可处理最大样品尺寸为 300mm*300mm*70mm。仪器最高工作温度为500℃,在此温度下可对样品施加的最大压力为30T。
PZT-JH100型100多通道高压极化装置,是一款新的应用于同时对多达100路生不同形状压力电子陶瓷极化的自动化设备。电源采用智能升压:可设置不同升压方式智能升压,温度可以调整升温速率,自动断压,安全互锁。
JK-VYP500℃高温真空热压机此设备设置专门针对于晶片焊接,薄膜转移,和LCP(液晶高聚物)层压。加热区100 mmx100 mm 或300 mm x300 mm。设备最高温度可达500℃,最大压力20-40T。
JK-VYP50高温小型真空热压机是一款小型化的平板式真空热压机,针对于晶片的焊接或薄膜转移,其可处理最大样品尺寸为50mmx50mmx15mm。设备的性能非常适合于第三代半导体器件的烧结键合研究,仪器最高工作温度为500℃,最大压力为5000N。于半导体器件制备过程中的封装互联材料的封装互联工艺所需,可提供的真空与气氛环境可以尽可能的减少材料的氧化,是性价比的实验室研发设备。