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2026-01-02
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JK-VMCS1200小型真空铸造系统(最大2Kg,配启动设备) 其最高温度可达1200C，适合在气氛保护环境下熔炼各种合金。用一封闭的腔体，以保证在对样品熔炼和浇注的过程中不生成氧化物，以及形成缺陷。此款产品对于台金探索是一款很好的实验帮手。
MACF-2000型桌面型熔炼浇铸炉此设备带有一可旋转真空腔体(熔炼和浇铸在此腔体内)，通过感应加热方式在真空或气氛保护环境下可熔炼各种金属材料，最高温度可达2000℃，通过腔体旋转可进行样品浇铸。此熔炼/浇铸炉是一款理想的探索新一代合金的工具。
SPS-5T-2000是一款温度可达2000℃、压力最高5T的智能放电等离子体热压烧结系统（Spark Plasma Sintering），其原理是利用通-断直流脉冲电流直接通电烧结的加压烧结法。通断式直流脉冲电流的主要作用是产生放电等离子体、放电冲击压力、焦耳热和电场扩散作用，它具有加热均匀，升降温速度快、烧结时间短、组织结构可控、产品组织细小均匀、可以得到高致密度的材料、节能环保等鲜明特点
JK-VRP300是一款高温真空热压机，针对于晶片的焊接或薄膜转移，其可处理最大样品尺寸为 300mm*300mm*70mm。仪器最高工作温度为500℃，在此温度下可对样品施加的最大压力为30T。
JK-VYP500℃高温真空热压机此设备设置专门针对于晶片焊接，薄膜转移，和LCP(液晶高聚物)层压。加热区100 mmx100 mm 或300 mm x300 mm。设备最高温度可达500℃，最大压力20-40T。
JK-VYP50高温小型真空热压机是一款小型化的平板式真空热压机，针对于晶片的焊接或薄膜转移，其可处理最大样品尺寸为50mmx50mmx15mm。设备的性能非常适合于第三代半导体器件的烧结键合研究，仪器最高工作温度为500℃，最大压力为5000N。于半导体器件制备过程中的封装互联材料的封装互联工艺所需，可提供的真空与气氛环境可以尽可能的减少材料的氧化，是性价比的实验室研发设备。
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