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HTR-4立式4寸快速退火炉

HTR-4立式4寸快速退火炉

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HTR-4立式4寸快速退火炉(芯片热处理设备)广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产,和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中,通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能,技术指标高、工艺复杂、专用性强。

HTR-4立式4寸快速退火炉的详细资料:

HTR-4立式4寸快速退火炉

 

                                              

快速退火炉.jpg


 

HTR-4立式4寸快速退火炉(芯片热处理设备)广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产,和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中,通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能,技术指标高、工艺复杂、专用性强。

主要应用领域:

1.快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN)

2.离子注入/接触退火;

3.金属合金;

4.热氧化处理;

5.化合物合金(砷化镓、氮化物等);

6.多晶硅退火;

7.太阳能电池片退火;

8.高温退火;

9.高温扩散。

产品特点:

·         可测大尺寸样品:可测单晶片样品的尺寸为4英寸。

·         压力控制系统创新设计:高精度控制压力,以满足不同的工艺要求。

·         存储热处理工艺:方便工艺参数调取,提高实验效率,数据可查询。

·         快速控温与高真空:升温速率可达150/s,真空度可达到10-5Pa

·         程序设定与气路扩展:可实现不同温度段的控制,进行降温段的自动转接,并能够对工艺菜单进行保存,方便调用。采用MFC控制气体流量,实现不同气氛环境(真空、氮气等)下的热处理。

·         腔体空间设计:保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1%

·         全自动智能控制:采用全自动智能控制,包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。

·         超高安全系数:采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,保障设备使用安全。

·          

·         主要技术参数:

最大样品尺寸

4英寸(直径100mm

控温范围

RT~1200

升温速率(max

150/s

高温段降温速率(max

1200/min

控温精度

±0.5

温场均匀性

≤1% 

气体流量

标配1MFC控制(氮气)可扩展至4

压力控制

~1bar±100Pa

工艺条件

支持真空、氧化、还原、惰性气体等工艺气氛,一键设置通过软件控制真空及通气时间

·          



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