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2018-06-05
+2018-10-09
+2016-07-08
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详细介绍
| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 国产 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 环保,能源,电子/电池,综合 |
关键词：体载流子浓度、表面载流子浓度、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻
HEM-500HA高低温电磁型全自动霍尔效应测试系统本仪器系统由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件组成。为本仪器系统专门研制的CH-320A效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。可单独做恒流源、微伏表使用。实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性工具。
可测试材料：
物理学参数 | 载流子浓度 （Carrier Density） | 103cm-3 ～ 1023cm-3 |
迁移率（Mobility） | 0.1cm2/volt*sec ～108cm2/volt*sec | |
电阻率范围（Resistivity） | 10-7 Ohm*cm～1010 Ohm*cm | |
霍尔电压 （Hall voltage） | 0.1uV ～ 10V | |
霍尔系数 | 10-5 ～ 1027cm3/C | |
可测试材料类型 | 半导体材料 | SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP,AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等 |
低阻抗材料 | 石墨烯、金属、透明氧化物、 弱磁性半导体材料、TMR材料等 | |
高阻抗材料 | 半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等 | |
材料导电粒子 | 材料的P型与N型测试 | |
磁场环境 | 磁铁类型 | 可变极性电磁铁 |
磁场大小 | 2000mT（极头间距为：10mm） 1500mT（极头间距为：20mm） 1000mT（极头间距为：30mm） 800mT（极头间距为：40mm） 600mT（极头间距为：50mm） | |
霍尔效应测试磁场 | 高低温霍尔效应中极头间距为40mm，此时磁场最大为800mT | |
均匀区 | 1% | |
最小分辨率 | 0.1Gs | |
可选磁环境 | 可根据客户需求定制相关磁性大小的电磁铁， | |
电学参数 | 电流源 | 1.00nA-1000.00mA |
电流源分辨率 | 1pA | |
测量电压 | 0～±10V | |
电压测量分辨率 | 0.0001mV | |
温度环境 | 80K ～ 773K（高低温温度调节0.1K） | |
控温精度 | 小于0.05%F.S±1个字 | |
其他配件 | 遮光性 | 外部安装遮光部件，使得测试材料更加稳定 |
样品尺寸 | 10mm*10mm（标准） 16mm*16mm（最大） | |
箱式机柜 | 600*600*1000mm | |
测试样片 | 提供中国科学院半导体所霍尔效应 标准测试样片及数据：1套 （硅、锗、砷化镓、锑化铟） | |
制作欧姆接触 | 电烙铁、铟片、焊锡、漆包线等 | |
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